Исследование НИУ ВШЭ приблизит массовое применение InGaN/GaN микролазеров

В Санкт-Петербурге учёные из России, Беларуси и Китая на базе Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ создали УФ-микролазер диаметром около 2 мкм. Устройство стабильно работает и при комнатной температуре. Такие фотонные схемы в перспективе позволят сократить затраты на производство и сделать более эффективными суперкомпьютеры, электрокары и медицинские приборы. Компактные фотонные чипы можно применять в спектроскопии, биосенсорах и системах связи, работающих в УФ-диапазоне. Учёные из Международной лаборатории разработали специальную прослойку между сапфиром и рабочими слоями устройства, благодаря чему удалось создать стабильный микролазер. Разработка с диаметром излучателя 2 мкм расширит применение глубокого ультрафиолета в науке и промышленности.